Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті

Вчені з Фуданського Університету в Китаї створили новий рекордний напівпровідниковий накопичувач – флеш-пам’ять PoX. Цей пристрій може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що набагато швидше за сучасні енергозалежні технології SRAM і DRAM. Вченим вдалося використати алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Зараз команда дослідників працює над перетворенням PoX на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.

Переглядів: 0